La Chine prépare des radars AESA à oxyde de gallium menaçant le F-35

Depuis quelques années, les radars AESA s’imposent comme la référence en détection, qu’il s’agisse de menaces aériennes, de missiles, de trajectoires spatiales ou de cibles de surface. Cette supériorité recouvre toutefois des réalités différentes selon la technologie employée et le nombre de modules présents sur l’antenne.

Dans ce domaine, les modules au nitrure de gallium GaN se sont imposés ces dernières années, offrant de meilleures performances que le GaAs. Mais selon des publications chinoises, le GaN pourrait bientôt céder la place à une nouvelle technologie à base d’oxyde de gallium. Ce bond en avant pourrait réduire l’avantage des avions furtifs de cinquième génération comme le F-35

La Chine consolide ses savoir-faire en matière de radars AESA autour du gallium

Les radars à antenne active à balayage électronique AESA des chasseurs modernes sont passés au nitrure de gallium GaN, dont la maturité industrielle a été entérinée en Chine le 3 septembre par un rapport de l’Institut de physique de l’Académie chinoise des sciences. En remplaçant l’arséniure de gallium GaAs, le GaN a permis des densités de puissance nettement supérieures et une meilleure efficacité des modules émission réception. Ces gains se traduisent par des portées de détection accrues et une résistance au brouillage renforcée. Aux hautes fréquences, le GaN approche toutefois ses limites physiques en dissipation thermique, ce qui freine encore la hausse de puissance disponible à l’antenne.

La maturité s’est confirmée avec les premières fabrications en série et à l’export de radars au GaN. La force aérienne pakistanaise a été équipée de KJL-7A fournis par l’industrie chinoise, signe d’une fiabilité compatible avec un service international. De tels programmes supposent des chaînes stables en matériaux, circuits de puissance et essais de qualification, ce qui atteste une capacité de production aboutie et élargit la base industrielle radar chinoise.

Dans le même temps, l’aval industriel s’est appuyé sur un amont largement contrôlé par Pékin en gallium métallique. En 2022, la Chine représentait environ soixante-huit pour cent des réserves mondiales prouvées selon l’USGS et en 2023 elle assurait plus de quatre-vingt-dix pour cent de la production de gallium raffiné. Ce cumul de réserves et de capacités de raffinage offre un levier stratégique sur les flux de matériaux destinés aux filières GaN et dérivées. Cette position pèse déjà sur les rythmes de modernisation à l’étranger.

Ce socle technologique et matériel a été renforcé par un signal politico-technologique. Le 3 septembre, la maturité nationale en GaN a été mise en avant, la Chine revendiquant en parallèle une avance sur les matériaux de semi-conducteurs de nouvelle génération. La largeur de bande interdite du Ga2O3, supérieure à celle du GaN, ouvre des marges de stabilité à haute puissance et en environnements extrêmes. Le standard GaN sert ainsi de tremplin vers une nouvelle classe de radars.

Les États-Unis durcissent les contrôles sur l’oxyde de gallium

Sur cette base GaN et avec un accès privilégié aux matières premières, la nouveauté tient à la montée en taille des plaquettes d’oxyde de gallium. En août 2025, l’Université de Zhejiang dirigée par Yang Deren a produit des plaquettes de quatre pouces après des lots de deux pouces en mai. Son procédé propre est présenté comme plus simple, plus contrôlable et plus rentable, gage d’une meilleure transférabilité industrielle. Il réduit les étapes critiques de croissance et stabilise les paramètres de fabrication, jalon vers un format de préindustrialisation.